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BUP300


SI N-IGBT transistor
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP300 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Informazioni aggiuntive per BUP300
OEM:Siemens AG
copertura: TO-218AA
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
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SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
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GT8Q101


SI N-IGBT transistor
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
GT8Q101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, d´application: driver motore, transistori di communtazione e prestazione
Foto: -
fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-16C1C
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
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